Unterschied zwischen IGBT und GTO

IGBT gegen GTO

GTO (Gate Turn Off Thyristor) und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Beide dienen zur Steuerung von Strömen und zu Schaltzwecken. Beide Geräte haben ein Steuergerät mit der Bezeichnung "Tor", haben jedoch unterschiedliche Betriebsprinzipien.

GTO (Torabschaltthyristor)

GTO besteht aus vier P-Typ- und N-Typ-Halbleiterschichten, und die Bauelementstruktur unterscheidet sich kaum von einem normalen Thyristor. In der Analyse wird GTO auch als gekoppeltes Transistorpaar (ein PNP und anderes in NPN-Konfiguration) betrachtet, wie bei normalen Thyristoren. Drei Terminals von GTO heißen 'Anode', 'Kathode' und 'Tor'.

Im Betrieb wirkt der Thyristor leitend, wenn ein Impuls an das Gate angelegt wird. Es hat drei Betriebsarten, die als "Rückwärtssperrmodus", "Vorwärtssperrmodus" und "Vorwärtssperrmodus" bekannt sind. Sobald das Gate mit dem Impuls ausgelöst wird, geht der Thyristor in den "Vorwärtsleitungsmodus" und hält weiter, bis der Vorwärtsstrom kleiner wird als der Schwellenwert "Haltestrom".

Zusätzlich zu den Eigenschaften von normalen Thyristoren ist der "off" -Zustand des GTO auch durch negative Impulse steuerbar. Bei normalen Thyristoren erfolgt die "Aus" -Funktion automatisch.

GTOs sind Leistungsgeräte und werden meistens in Wechselstromanwendungen eingesetzt.

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT)

Der IGBT ist ein Halbleiterbaustein mit drei als "Emitter", "Collector" und "Gate" bezeichneten Anschlüssen. Es ist eine Art Transistor, der eine größere Menge an Leistung bewältigen kann und eine höhere Schaltgeschwindigkeit hat, was ihn effizient macht. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.

Der IGBT hat die kombinierten Eigenschaften von MOSFET und Bipolartransistor (BJT). Es ist Gate-gesteuert wie MOSFET und hat aktuelle Spannungseigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile sowohl der hohen Strombehandlungsfähigkeit als auch der einfachen Steuerung. IGBT-Module (bestehend aus einer Reihe von Geräten) bewältigen Kilowatt Leistung.

Was ist der Unterschied zwischen IGBT und GTO?

1. Drei Anschlüsse des IGBTs sind als Emitter, Kollektor und Gate bekannt, während GTO Anschlüsse hat, die als Anode, Kathode und Gate bekannt sind.

2. Das Gate des GTO benötigt nur einen Impuls zum Schalten, während der IGBT eine kontinuierliche Gate-Spannung benötigt.

3. IGBT ist eine Art von Transistor und GTO ist eine Art von Thyristor, der als ein eng gekoppeltes Paar von Transistoren in der Analyse betrachtet werden kann.

4. IGBT hat nur einen PN-Übergang, und GTO hat drei davon

5. Beide Geräte werden in Hochleistungsanwendungen eingesetzt.

6. GTO benötigt externe Geräte zur Abschaltung und Einschaltung von Impulsen, während IGBT nicht benötigt wird.