Unterschied zwischen statischem Zeichen und dynamischem Zeichen in nMOS Unterschied zwischen
Diejenigen von euch, die ihre Physik gut kennen, werden eine Vorstellung davon haben, worum es in diesem Artikel geht. Für diejenigen, die es nicht tun, lassen Sie es uns einfach halten, dass wir die Schaltkreise und die Verlustleistung besprechen werden, die in den Schaltkreisen stattfindet. Wenn wir die Abkürzung nMOS verwenden, was eine Abkürzung für N-Typ-Metalloxidhalbleiter ist, beziehen wir uns auf die Logik, die MOSFETs verwendet, dh n-Typ-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren. Dies wird durchgeführt, um eine Anzahl verschiedener digitaler Schaltungen, wie z. B. Logikgatter, zu implementieren.
Zunächst haben nMOS-Transistoren 4 Betriebsmodi; die Triode, Cut-Off (auch als Unterschwelle bezeichnet), Sättigung (auch als aktiv bezeichnet) und Geschwindigkeitssättigung. Es gibt eine Verlustleistung in dem Transistor, der verwendet wird, und allgemein gesagt, gibt es eine Verlustleistung in irgendeiner Schaltung, die hergestellt wird und arbeitet. Dieser Leistungsverlust hat eine statische und eine dynamische Komponente und es kann in der Tat eine schwierige Aufgabe sein, sie in Simulationen zu unterscheiden. Dies ist der Grund, warum Menschen nicht in der Lage sind, sie voneinander zu unterscheiden. Daher die Entwicklung der terminologischen Unterscheidung von zwei Arten von Zeichen, nämlich statisch und dynamisch. In integrierten Schaltungen kann nMOS als eine digitale Logikfamilie bezeichnet werden, die eine einzige Versorgungsspannung verwendet, im Gegensatz zu älteren nMOS-Logikfamilien, die mehr als eine Versorgungsspannung benötigen.
Um die beiden in einfachen Worten zu unterscheiden, können wir sagen, dass ein statisches Zeichen an keiner Stelle eine wesentliche Änderung erfährt und am Ende im Wesentlichen gleich bleibt wie am Anfang. Im Gegensatz dazu bezieht sich ein dynamischer Charakter auf denjenigen, der irgendwann eine wichtige Veränderung erfahren wird. Beachten Sie, dass diese Definition und Unterscheidung nicht auf statische und dynamische Zeichen in nMOS beschränkt ist, sondern sich auf die allgemeine Unterscheidung zwischen statischen und dynamischen Zeichen bezieht. Wenn wir sie also in die Referenz von nMOS setzen, können wir eine einfache Schlussfolgerung ziehen, dass statische Zeichen in nMOS im Verlauf der Lebensdauer des Schaltkreises keine Änderungen zeigen, während dynamische Zeichen im selben Verlauf eine Art von Änderung zeigen.
NMOS-Schaltungen werden normalerweise für Hochgeschwindigkeitsschaltungen verwendet. Diese Schaltungen verwenden nMOS-Transistoren als Schalter. Wenn ein statisches NAND-Gatter verwendet wird, werden zwei Transistoren an ihren jeweiligen Gatterschaltungen angelegt. Es wird nicht empfohlen, zu viele Eingangstransistoren in Reihe zu schalten, da dies die Schaltzeit erhöhen kann. Im statischen NOR-Gate sind zwei Transistoren parallel geschaltet. Bei dynamischen nMOS-Schaltungen besteht das grundlegende Verfahren dagegen darin, die logischen Werte unter Verwendung der Eingangskapazitäten der nMOS-Transistoren zu speichern.Das dynamische System arbeitet in einem kleinen Dissipationsleistungsregime. Darüber hinaus bieten dynamische Schaltungen eine bessere Integrationsdichte als ihre statischen Pendants. Ein dynamisches System ist jedoch nicht immer die beste Option, da es im Gegensatz zu einem statischen System mehr Fahrbefehle oder mehr Logik benötigt.
Zusammenfassung der Unterschiede in den Punkten
1. Ein statischer Charakter ist einer, der an keiner Stelle eine wesentliche Veränderung erfährt und am Ende im wesentlichen gleich bleibt wie am Anfang. Im Gegensatz dazu bezieht sich ein dynamisches Zeichen auf dasjenige, das zu einem bestimmten Zeitpunkt eine wichtige Änderung erfährt
2. Statische Zeichen in nMOS zeigen keine Änderungen im Verlauf der Lebensdauer des Schaltkreises, während dynamische Zeichen eine Art von Änderung über den gleichen Verlauf zeigen
3. Wenn ein statisches NAND-Gatter verwendet wird, werden zwei Transistoren an ihren jeweiligen Gatterschaltungen angelegt. Es wird nicht empfohlen, zu viele Eingangstransistoren in Reihe zu schalten, da dies die Schaltzeit erhöhen kann. Im statischen NOR-Gate sind zwei Transistoren parallel geschaltet. Bei dynamischen nMOS-Schaltungen besteht das grundlegende Verfahren dagegen darin, die logischen Werte unter Verwendung der Eingangskapazitäten der nMOS-Transistoren
4 zu speichern. Dynamische Schaltungen bieten eine bessere Integrationsdichte, während die statischen Schaltungen eine schlechtere Integrationsdichte von
5 aufweisen. Dynamische Systeme sind nicht immer die beste Option, da sie mehr Fahrbefehle oder mehr Logik benötigen. statische Systeme erfordern weniger Logik oder Eingabebefehle
